Jobs

Chercheur / Ingénieur associé dans le domaine des Modules Semi-Conducteur de Puissance (H/F)

Posted on the 10th November 2022

Location  Rennes (35)

URL: http://www.mitsubishielectric-rce.eu/

Reference HMT_CDD_122022

Contrat de 12 mois renouvelable

 Niveaux  Débutant – (1 – 3 ans d’expérience)

Contexte et description

MITSUBISHI ELECTRIC est l’un des principaux fabricants dans le domaine de l’électronique de puissance depuis les composants et modules semi-conducteurs de puissance jusqu’aux applications comme la traction ferroviaire. En tant que filiale du Groupe MITSUBISHI ELECTRIC, MITSUBISHI ELECTRIC R&D CENTRE EUROPE comprend une division de recherche spécialisée en électronique de puissance qui réalise de la recherche fondamentale sur l’intégration et la fiabilité des systèmes d’électronique de puissance.

Pour renforcer ses activités dans le domaine de la gestion de l’état de santé des systèmes d’électronique de puissance, cette division, située à Rennes (Ille-et-Vilaine, Bretagne) recrute un(e) Chercheur Associé sur une durée déterminée spécialisé(e) dans les domaines des modules semiconducteurs de puissance avec pour mission principale de réaliser des travaux de recherche dans le domaine de la surveillance de l’état des modules IGBT et MOSFET SiC.

Vos tâches / vos missions

. Dans les domaines de la surveillance de l’état des modules semi-conducteurs de puissance, vous développerez des capteurs et méthodes pour garantir une maintenance préventive de ceux-ci.

. Vous serez en charge de la spécification des circuits électroniques pour la surveillance de l’état des puces et interconnections des modules de puissance.

. Vous serez amené à concevoir et tester de tels circuits à l’aide des outils de simulation et CAO.

. En collaboration avec d’autres chercheurs et ingénieurs électroniciens de puissance, vous serez amené à travailler avec des convertisseurs de puissance en laboratoire et vous serez en charge de tester les circuits de ‘condition monitoring’ préalablement réalisés.

. Vous mènerez des caractérisations électriques ou thermiques des composants semi-conducteurs de puissance IGBT ou MOSFET SiC (analyseur de courbe de type B1505A, analyseur d’impédance, mesures 4 pointes, caméra Infrarouge)

. Vous développerez des modèles pour vous aider dans l’analyse des modes de défaillance ;

. Vous rapporterez vos activités à votre supérieur hiérarchique et serez en contact avec des partenaires japonais pour comprendre les objectifs attendus et faire l’état des avancements.

Formation et expériences requises

. Formation d’ingénieur avec au-moins une première expérience professionnelle ou stage dans le domaine des modules semi-conducteurs de puissance.

. Une première expérience dans la conception, caractérisation, commande rapprochée ou surveillance des modules semi-conducteurs de puissance.

. Connaissance approfondie des IGBT et MOSFET SiC, de leur packaging, de la mesure et de l’analyse de leurs commutations.

. Expérience générale d’utilisation des équipements d’un laboratoire de puissance (alimentations, oscilloscopes, sondes…),

. Expérience de base d’outils d’ingénieur pour la simulation et l’analyse de circuits électroniques et d’électronique de puissance (par ex. LTspice, PSIM, Matlab…),

. Expérience d’outils de simulation par éléments finis (par ex. FEMM, COMSOL) serait un plus.

. Une expérience en schéma et routage de cartes analogiques sous Altium serait un plus.

. Une expérience de recherche (doctorat) dans le domaine des semiconducteurs de puissance est un plus.

Critères personnels

. Méthodique dans le travail expérimental, l’analyse et le reporting ;

. Motivation pour travailler dans un environnement dynamique et adaptabilité aux changements ;

. Bonnes capacités de communication ; capacité à partager l’information avec les membres de l’équipe (doit montrer des preuves de travail en équipe) ;

. Sensible aux aspects relatifs à la sécurité et aux risques électriques

. Anglais courant ;

Contact

Magali Branchereau (Responsable RH)

Merci d’adresser CV et lettre de motivation en anglais, en fichiers PDF par mail (en indiquant en objet : votre nom suivi de la référence de l’annonce HMT_CDD_122022) à l’adresse suivante : jobs@fr.merce.mee.com