Chercheur / Ingénieur associé dans le domaine des Modules Semi-Conducteur de Puissance (H/F)

Location  Rennes (35)

URL: http://www.mitsubishielectric-rce.eu/

Reference HMT_CDD_122022

Contrat de 12 mois renouvelable

 Niveaux  Débutant – (1 – 3 ans d’expérience)

Vos tâches / vos missions

. Dans les domaines de la surveillance de l’état des modules semi-conducteurs de puissance, vous développerez des capteurs et méthodes pour garantir une maintenance préventive de ceux-ci.

. Vous serez en charge de la spécification des circuits électroniques pour la surveillance de l’état des puces et interconnections des modules de puissance.

. Vous serez amené à concevoir et tester de tels circuits à l’aide des outils de simulation et CAO.

. En collaboration avec d’autres chercheurs et ingénieurs électroniciens de puissance, vous serez amené à travailler avec des convertisseurs de puissance en laboratoire et vous serez en charge de tester les circuits de ‘condition monitoring’ préalablement réalisés.

. Vous mènerez des caractérisations électriques ou thermiques des composants semi-conducteurs de puissance IGBT ou MOSFET SiC (analyseur de courbe de type B1505A, analyseur d’impédance, mesures 4 pointes, caméra Infrarouge)

. Vous développerez des modèles pour vous aider dans l’analyse des modes de défaillance ;

. Vous rapporterez vos activités à votre supérieur hiérarchique et serez en contact avec des partenaires japonais pour comprendre les objectifs attendus et faire l’état des avancements.

Formation et expériences requises

. Formation d’ingénieur avec au-moins une première expérience professionnelle ou stage dans le domaine des modules semi-conducteurs de puissance.

. Une première expérience dans la conception, caractérisation, commande rapprochée ou surveillance des modules semi-conducteurs de puissance.

. Connaissance approfondie des IGBT et MOSFET SiC, de leur packaging, de la mesure et de l’analyse de leurs commutations.

. Expérience générale d’utilisation des équipements d’un laboratoire de puissance (alimentations, oscilloscopes, sondes…),

. Expérience de base d’outils d’ingénieur pour la simulation et l’analyse de circuits électroniques et d’électronique de puissance (par ex. LTspice, PSIM, Matlab…),

. Expérience d’outils de simulation par éléments finis (par ex. FEMM, COMSOL) serait un plus.

. Une expérience en schéma et routage de cartes analogiques sous Altium serait un plus.

. Une expérience de recherche (doctorat) dans le domaine des semiconducteurs de puissance est un plus.

Critères personnels

. Méthodique dans le travail expérimental, l’analyse et le reporting ;

. Motivation pour travailler dans un environnement dynamique et adaptabilité aux changements ;

. Bonnes capacités de communication ; capacité à partager l’information avec les membres de l’équipe (doit montrer des preuves de travail en équipe) ;

. Sensible aux aspects relatifs à la sécurité et aux risques électriques

. Anglais courant ;

Contact

Magali Branchereau (Responsable RH)

Merci d’adresser CV et lettre de motivation en anglais, en fichiers PDF par mail (en indiquant en objet : votre nom suivi de la référence de l’annonce HMT_CDD_122022) à l’adresse suivante : jobs@fr.merce.mee.com